Numărul de produs al producătorului:
SPD09P06PLGBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPD09P06PLGBTMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
6724 Piese Noi Originale În Stoc
12862821
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
kZQa
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPD09P06PLGBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SPD09P06
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPD09P06PLG
SPD09P06PL GCT-DG
SPD09P06PL G-DG
SPD09P06PL GDKR-DG
SPD09P06PL GCT
SPD09P06PL G
SPD09P06PL GTR-DG
SPD09P06PL GDKR
SP000443928
SPD09P06PLGBTMA1CT
SPD09P06PLGBTMA1TR
SPD09P06PLGBTMA1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 2.4A UPAK
RJK5026DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
