Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SPB80N04S2-H4
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPB80N04S2-H4-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
RFQ Online
12806821
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPB80N04S2-H4 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5890 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SPB80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SPB80N04S2-H4-DG
Fișe tehnice
SPB80N04S2-H4
Informații suplimentare
Alte nume
SP000016358
SPB80N04S2H4T
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BUK964R4-40B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7464
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK964R4-40B,118-DG
PREȚ UNIC
1.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB170NF04
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
488
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB170NF04-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
SQM50N04-4M1_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQM50N04-4M1_GE3-DG
PREȚ UNIC
1.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB75NF75T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
967
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB75NF75T4-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB120N4LF6
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
515
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB120N4LF6-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL3502S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IRF6722MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
SPP03N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-3
IRF6618TR1
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET