Numărul de produs al producătorului:
SPA07N60C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPA07N60C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventar:
487 Piese Noi Originale În Stoc
12806518
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPA07N60C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-31
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SPA07N60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPA07N60C3IN-DG
SPA07N60C3
INFINFSPA07N60C3XKSA1
SPA07N60C3IN
SPA07N60C3XK
2156-SPA07N60C3XKSA1
SP000216303
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262