SPA06N80C3XKSA1
Numărul de produs al producătorului:

SPA06N80C3XKSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

SPA06N80C3XKSA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31

Inventar:

13208 Piese Noi Originale În Stoc
12806378
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SPA06N80C3XKSA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-31
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SPA06N80

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SPA06N80C3IN
SPA06N80C3IN-DG
SPA06N80C3X
SPA06N80C3XTIN
SPA06N80C3
SPA06N80C3IN-NDR
2156-SPA06N80C3XKSA1
SPA06N80C3XTIN-DG
SPA06N80C3XK
SP000216302
INFINFSPA06N80C3XKSA1
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF7665S2TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET

infineon-technologies

SPP80N06S2-H5

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRLR7833TRL

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

infineon-technologies

IRFR4104TRR

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK