Numărul de produs al producătorului:
ISP25DP06LMXTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
ISP25DP06LMXTSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
1297 Piese Noi Originale În Stoc
12807042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ISP25DP06LMXTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
ISP25DP06
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ISP25DP06LMXTSA1-DG
448-ISP25DP06LMXTSA1CT
SP004987270
2156-ISP25DP06LMXTSA1
448-ISP25DP06LMXTSA1DKR
448-ISP25DP06LMXTSA1TR
INFINFISP25DP06LMXTSA1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL3103D2
MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
IRL1104LPBF
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
IRF8707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
