ISC036N04NM5ATMA1
Numărul de produs al producătorului:

ISC036N04NM5ATMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

ISC036N04NM5ATMA1-DG

Descriere:

40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventar:

4498 Piese Noi Originale În Stoc
12993600
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

ISC036N04NM5ATMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Ta), 98A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 23µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8 FL
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
ISC036N

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP005399111
448-ISC036N04NM5ATMA1CT
448-ISC036N04NM5ATMA1TR
448-ISC036N04NM5ATMA1DKR
Pachet standard
5,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STB30N65DM6AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V