Numărul de produs al producătorului:
ISC009N06LM5ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
ISC009N06LM5ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventar:
2780 Piese Noi Originale În Stoc
12965375
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ISC009N06LM5ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
41A (Ta), 348A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 147µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSON-8-3
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
ISC009N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-ISC009N06LM5ATMA1DKR
448-ISC009N06LM5ATMA1CT
448-ISC009N06LM5ATMA1TR
SP005400730
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJQ2409_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
PJA3432_R1_00001
SOT-23, MOSFET
AOD2146
40V N-CHANNEL ALPHASGT