IRLU3915PBF

Numărul de produs al producătorului:

IRLU3915PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRLU3915PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 55V 30A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventar:

RFQ Online

12806115

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRLU3915PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

55 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

92 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±16V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1870 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

120W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK (TO-251AA)

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRLU3915PBF

SP001578942

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRFS7530-7PPBF

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRF7665S2TRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFHS8342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

infineon-technologies

IRF1404ZSTRLPBF

MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK