Numărul de produs al producătorului:
IRLR2905ZTRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLR2905ZTRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
2599 Piese Noi Originale În Stoc
12805793
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLR2905ZTRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRLR2905
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001574018
IRLR2905ZTRPBFTR
IRLR2905ZTRPBF-DG
IRLR2905ZTRPBFDKR
IRLR2905ZTRPBFCT
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML6402TR
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
IRLU024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
IPS60R400CEAKMA1
CONSUMER
