Numărul de produs al producătorului:
IRLHS6342TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLHS6342TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Inventar:
130231 Piese Noi Originale În Stoc
12806081
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLHS6342TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1019 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-PQFN (2x2)
Pachet / Carcasă
6-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
IRLHS6342
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001573840
IRLHS6342TRPBFTR
IRLHS6342TRPBFCT
IRLHS6342TRPBF-DG
IRLHS6342TRPBFDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR2905ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRLBD59N04ETRLP
MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
IRLR8103VTRR
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
