IRLH7134TR2PBF

Numărul de produs al producătorului:

IRLH7134TR2PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRLH7134TR2PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN

Descriere detaliată:

N-Channel 40 V 26A (Ta), 85A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

RFQ Online

12816645

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRLH7134TR2PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

26A (Ta), 85A (Tc)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

58 nC @ 4.5 V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3720 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-PQFN (5x6)

Pachet / Carcasă

8-PowerTDFN

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IRLH7134TR2PBF-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

IRLH7134TR2PBFCT

SP001558780

IRLH7134TR2PBFDKR

IRLH7134TR2PBFTR

Pachet standard

400

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

epc

EPC2018

GANFET N-CH 150V 12A DIE

texas-instruments

CSD18531Q5AT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

infineon-technologies

IPW65R095C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

infineon-technologies

IRF540Z

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB