Numărul de produs al producătorului:
IRLB3813PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLB3813PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
5741 Piese Noi Originale În Stoc
12810582
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLB3813PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8420 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRLB3813
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001558110
64-0084PBF
64-0084PBF-DG
2156-IRLB3813PBF
IFEINFIRLB3813PBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6655TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IRFR3103TR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
TP2640N3-G
MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
