IRL520NSPBF

Numărul de produs al producătorului:

IRL520NSPBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRL520NSPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

RFQ Online

12806070

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRL520NSPBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±16V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

440 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

D2PAK

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRL520NSPBF

SP001568426

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IPL60R125C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

infineon-technologies

IPP120N06S403AKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

infineon-technologies

IRFB3206GPBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

infineon-technologies

IRLR2703PBF

MOSFET N-CH 30V 23A DPAK