IRL3102

Numărul de produs al producătorului:

IRL3102

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRL3102-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

RFQ Online

12805583

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRL3102 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

61A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 37A, 7V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

58 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2500 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

89W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220AB

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Fișa de date și documente

Resurse de proiectare

IRL3102 Saber Model

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRL3102

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRFR3704ZPBF

MOSFET N-CH 20V 60A DPAK

infineon-technologies

IPAW70R950CEXKSA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31

infineon-technologies

IPP45N06S4L08AKSA2

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

IRF7324D1TRPBF

MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO