Numărul de produs al producătorului:
IRL2505L
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL2505L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12814376
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL2505L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
104A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRL2505L
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI50N10S3L16AKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR3412TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IRFS31N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
IRLR2703TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
