IRFU3303PBF

Numărul de produs al producătorului:

IRFU3303PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFU3303PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 33A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 33A (Tc) 57W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventar:

RFQ Online

12807308

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRFU3303PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

33A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

29 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

750 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

57W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK (TO-251AA)

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRFU3303PBF

SP001567700

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRL3102PBF

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

infineon-technologies

IRFR13N20DTR

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

infineon-technologies

IRF4104PBF

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

infineon-technologies

IRL8113S

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK