Numărul de produs al producătorului:
IRFU1018EPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFU1018EPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
12805370
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFU1018EPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK (TO-251AA)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001565188
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFU3607PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
743
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFU3607PBF-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFS4510TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
IPI80N06S4L07AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IPI80P03P4L07AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
