Numărul de produs al producătorului:
IRFU024NPBFAKLA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFU024NPBFAKLA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventar:
7219 Piese Noi Originale În Stoc
12999943
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFU024NPBFAKLA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK (TO-251AA)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Informații suplimentare
Alte nume
448-IRFU024NPBFAKLA1
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DI020N06D1-AQ
MOSFET DPAK N 60V 0.034OHM 150C
MMFTN138K
MOSFET SOT23 N 60V 1.6OHM 150C
DI100N04PQ-AQ
MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM