Numărul de produs al producătorului:
IRFTS9342TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFTS9342TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
27194 Piese Noi Originale În Stoc
12823553
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFTS9342TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
595 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6
Numărul de bază al produsului
IRFTS9342
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFTS9342TRPBFDKR
IRFTS9342TRPBFCT
IRFTS9342TRPBFTR
SP001571652
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPU80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
IRF3709ZS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IRF3711S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
