Numărul de produs al producătorului:
IRFSL7787PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFSL7787PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 76A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12805526
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFSL7787PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRFSL7787
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IFEIRFIRFSL7787PBF
SP001576372
2156-IRFSL7787PBFINF
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI086N10N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
270
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI086N10N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFB3004GPBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
IRL1004STRLPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
IPI50N10S3L16AKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
