Numărul de produs al producătorului:
IRFSL4115PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFSL4115PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12804504
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFSL4115PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001573516
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI075N15N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
498
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI075N15N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
IRFS7730-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IRF7466TR
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
