Numărul de produs al producătorului:
IRFSL3107PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFSL3107PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12807089
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
6Upg
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFSL3107PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9370 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
370W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRFSL3107
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFSL3107PBF
INFINFIRFSL3107PBF
SP001557588
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFSL3207ZPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
880
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFSL3207ZPBF-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF9520NSTRL
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IRFR4105TRR
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
IRF5803
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
