Numărul de produs al producătorului:
IRFR5410TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFR5410TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
18890 Piese Noi Originale În Stoc
12806218
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFR5410TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
66W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRFR5410
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001557100
IRFR5410PBFTR
IRFR5410TRPBF-DG
*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
IRFR5410PBFDKR
IRFR5410TRPBFTR-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL80HS120
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
IRLR4343TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23