IRFR2605
Numărul de produs al producătorului:

IRFR2605

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFR2605-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Inventar:

RFQ Online
12806238
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFR2605 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IRFR2605, IRFU2605

Informații suplimentare

Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPP12CN10N G

MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2908PBF

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

infineon-technologies

IRLU014NPBF

MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK

infineon-technologies

IRLR7807ZTRRPBF

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK