Numărul de produs al producătorului:
IRFPS3810PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFPS3810PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Inventar:
12805042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFPS3810PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6790 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
580W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
SUPER-247™ (TO-274AA)
Pachet / Carcasă
TO-274AA
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFPS3810PBF
SP001566934
Pachet standard
400
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4468PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
317
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4468PBF-DG
PREȚ UNIC
4.42
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
IPI530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
IRFR3707ZTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
