IRFL4315PBF

Numărul de produs al producătorului:

IRFL4315PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFL4315PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

Descriere detaliată:

N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventar:

RFQ Online

12814850

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRFL4315PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

150 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

420 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.8W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-223

Pachet / Carcasă

TO-261-4, TO-261AA

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

SP001554908

Pachet standard

80

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRF1405ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

infineon-technologies

IPP015N04NGXKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

infineon-technologies

SPB80N06S2L-H5

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

microchip-technology

LND150N3-G-P002

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3