Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRFHM8342TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFHM8342TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Inventar:
RFQ Online
12806400
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFHM8342TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.6W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRFHM8342TRPBF-DG
Fișe tehnice
IRFHM8342TRPBF
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFHM8342TRPBF
SP001551976
ROCIRFIRFHM8342TRPBF
IRFHM8342TRPBFCT
IRFHM8342TRPBFTR
IRFHM8342TRPBFDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMC8882
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
61937
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC8882-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDMC8878
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6381
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC8878-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMG4468LFG-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMG4468LFG-7-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E080BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
40431
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E080BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMS3014SFG-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
15880
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMS3014SFG-7-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPD50N03S2L06T
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IRFS5615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRFU18N15D
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
IRLU9343
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK