Numărul de produs al producătorului:
IRFHM4226TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFHM4226TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Inventar:
12822708
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFHM4226TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 13 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.7W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-TQFN Exposed Pad
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRFHM4226TRPBFCT
IRFHM4226TRPBFTR
SP001556568
IRFHM4226TRPBFDKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSZ0901NSIATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5318
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSZ0901NSIATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6201TRPBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
IRFI4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
XR46000ESETR
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223