Numărul de produs al producătorului:
IRFB7534PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFB7534PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
9566 Piese Noi Originale În Stoc
12805576
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFB7534PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
279 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10034 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
294W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB7534
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFB7534PBF
448-IRFB7534PBF
IRFB7534PBF-DG
SP001554650
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ISP25DP06LMSATMA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
IRF7523D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
IPA90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP
