Numărul de produs al producătorului:
IRFB4227PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFB4227PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
3925 Piese Noi Originale În Stoc
12805977
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFB4227PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
330W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB4227
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IRFB4227PBF
IRFB4227PBF-DG
SP001565892
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL2505STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IRL1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRFP044NPBF
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
