Numărul de produs al producătorului:
IRFB4110PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFB4110PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
6327 Piese Noi Originale În Stoc
12805905
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFB4110PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9620 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
370W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB4110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
64-0076PBF-DG
448-IRFB4110PBF
64-0076PBF
SP001570598
IRFB4110PBF-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IRFR2407TRRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK