Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRFB4110GPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFB4110GPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12822679
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFB4110GPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9620 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
370W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB4110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRFB4110GPBF-DG
Fișe tehnice
IRFB4110GPBF
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFB4110GPBF
SP001556050
INFINFIRFB4110GPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4110PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3922
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4110PBF-DG
PREȚ UNIC
2.14
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
PSMN4R8-100PSEQ
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
5000
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN4R8-100PSEQ-DG
PREȚ UNIC
2.32
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
PSMN009-100P,127
PRODUCĂTOR
NXP Semiconductors
CANTITATE DISPONIBILĂ
291
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN009-100P,127-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4110PBFXKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4110PBFXKMA1-DG
PREȚ UNIC
2.13
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
STP150N10F7
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
494
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP150N10F7-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFZ48VS
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
IRFP3006PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
PMV185XN,215
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB