Numărul de produs al producătorului:
IRFB3207PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFB3207PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12803146
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFB3207PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
330W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB3207
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001572410
IFEINFIRFB3207PBF
2156-IRFB3207PBF
*IRFB3207PBF
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MIC94050YM4-TR
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
IRFU9N20D
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
