Numărul de produs al producătorului:
IRF9Z34NPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9Z34NPBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
78565 Piese Noi Originale În Stoc
12803318
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9Z34NPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF9Z34
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001560182
IFEINFIRF9Z34NPBF
2156-IRF9Z34NPBF
*IRF9Z34NPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC60R2K0C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI45N06S409AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
IPI06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
