Numărul de produs al producătorului:
IRF9952TR
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9952TR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12804377
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
orbh
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9952TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF995
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF9952TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
11066
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9952TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF5851
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
IRF7316GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
IRF7341TRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
