IRF9530NPBF
Numărul de produs al producătorului:

IRF9530NPBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF9530NPBF-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

39687 Piese Noi Originale În Stoc
12805590
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF9530NPBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF9530

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
*IRF9530NPBF
SP001570634
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF7321D2TR

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO

infineon-technologies

IRLU8726PBF

MOSFET N-CH 30V 86A IPAK

infineon-technologies

IRFS3006TRL7PP

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRL3103D1PBF

MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB