Numărul de produs al producătorului:

IRF9395MTR1PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF9395MTR1PBF-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC

Descriere detaliată:

Mosfet Array 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET™ MC

Inventar:

RFQ Online

13064096

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF9395MTR1PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Producător

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Starea piesei

Obsolete

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 P-Channel (Dual)

Caracteristică FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

14A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 50µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3241pF @ 15V

Putere - Max

2.1W

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

DirectFET™ Isometric MC

Pachet dispozitiv furnizor

DIRECTFET™ MC

Numărul de bază al produsului

IRF9395

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IRF9395MTR1PBF-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

IRF9395MTR1PBF-ND

SP001563804

IRF9395MTR1PBFTR

IRF9395MTR1PBFCT

IRF9395MTR1PBFDKR

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRF7313PBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

infineon-technologies

IRF7314PBF

MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO

infineon-technologies

IRFHM792TR2PBF

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

nxp-semiconductors

PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON