Numărul de produs al producătorului:
IRF9388TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9388TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
37100 Piese Noi Originale În Stoc
12803353
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9388TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
IRF9388
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF9388TRPBFCT
IRF9388TRPBFDKR
IRF9388TRPBFTR
SP001570652
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB60R120C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
IRF6607
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRFH5303TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
