Numărul de produs al producătorului:

IRF9332PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF9332PBF-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO

Descriere detaliată:

P-Channel 30 V 9.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

RFQ Online

12804383

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF9332PBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tip FET

P-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.8A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

41 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1270 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SO

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

SP001563824

Pachet standard

95

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRFH8202TRPBF

MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN

infineon-technologies

IPP45N06S3L-13

MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3

infineon-technologies

IPP70N10SL16AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

infineon-technologies

IRF3415STRR

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK