Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF8707GTRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF8707GTRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
RFQ Online
12806968
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF8707GTRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Informații suplimentare
Alte nume
IRF8707GTRPBFTR
IRF8707GTRPBFCT
IFEIRFIRF8707GTRPBF
IRF8707GTRPBFDKR
2156-IRF8707GTRPBF
SP001566566
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS8878
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
570614
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS8878-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RXH125N03TB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
RXH125N03TB1-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS6690A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
4652
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6690A-DG
PREȚ UNIC
0.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF8707TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
27101
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF8707TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
DMN3016LSS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
14193
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3016LSS-13-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
IRLR8503TRPBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
SPP20N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IPP35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3