Numărul de produs al producătorului:
IRF830PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF830PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12806499
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF830PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
610 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF830
Informații suplimentare
Alte nume
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF830PBF-BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3320
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830PBF-BE3-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IRF830PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
9086
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830PBF-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
IRFB4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
SPA11N60C3IN
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
