Numărul de produs al producătorului:
IRF8304MTR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF8304MTR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12805055
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF8304MTR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MX
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MX
Numărul de bază al produsului
IRF8304
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF8304MTR1PBFDKR
SP001555726
IRF8304MTR1PBFCT
IRF8304MTR1PBFTR
IRF8304MTR1PBF-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7704
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
IPP80N06S2L11AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
