Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF8113
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF8113-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
RFQ Online
12804048
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF8113 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2910 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRF8113-DG
Fișe tehnice
IRF8113
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF8113
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RXH125N03TB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
RXH125N03TB1-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS8870
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2621
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS8870-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AO4430
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
8910
DiGi NUMĂR DE PARTE
AO4430-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF8113TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1665
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF8113TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK