Numărul de produs al producătorului:
IRF7807VD2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7807VD2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12807031
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7807VD2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
FETKY™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF7807VD2
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR3303TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IRLZ24NLPBF
MOSFET N-CH 55V 18A TO262
IRL540NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
