Numărul de produs al producătorului:

IRF7805ZTRPBF-1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF7805ZTRPBF-1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

RFQ Online

12939629

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF7805ZTRPBF-1 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

16A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2080 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-SOIC

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IRF7805ZTRPBF-1-DG

Fișe tehnice

IRF7805ZTRPBF-1

Informații suplimentare

Alte nume

SP001554390

448-IRF7805ZTRPBF-1TR

Pachet standard

4,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microchip-technology

APT34F60S/TR

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ80S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK

microchip-technology

MSC130SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

microchip-technology

MSC40SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227