Numărul de produs al producătorului:
IRF7799L2TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7799L2TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventar:
12805819
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7799L2TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6714 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DirectFET™ Isometric L8
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric L8
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001560006
IRF7799L2TR1PBFDKR
IRF7799L2TR1PBFCT
IRF7799L2TR1PBFTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AUIRF7799L2TR
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
5733
DiGi NUMĂR DE PARTE
AUIRF7799L2TR-DG
PREȚ UNIC
4.15
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
IPP80N08S2L07AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IRF7607TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
