Numărul de produs al producătorului:
IRF7504TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7504TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
Inventar:
12802739
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7504TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 15V
Putere - Max
1.25W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
Micro8™
Numărul de bază al produsului
IRF7504
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF7504TRPBFDKR
IRF7504TRPBFTR
SP001551428
IRF7504TRPBFCT
IRF7504TRPBF-DG
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2 (1 Year)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPG20N06S415AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON