Numărul de produs al producătorului:
IRF7495PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7495PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12806800
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7495PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1530 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
62-0093PBF-DG
62-0093PBF
*IRF7495PBF
SP001577542
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH7107TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
SPP11N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
IRF7456PBF
MOSFET N-CH 20V 16A 8SO
