Numărul de produs al producătorului:
IRF7460TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7460TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12804429
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7460TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF7460PBFTR
IRF7460PBFDKR
*IRF7460TRPBF
IRF7460TRPBF-DG
IRF7460TRPBFTR-DG
IRF7460PBFCT
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMN2009LSS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
1816
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN2009LSS-13-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFB4019PBF
MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
IPC100N04S5L1R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IRFS23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
