Numărul de produs al producătorului:
IRF7450TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7450TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805464
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7450TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRF7450TRPBFTR
IRF7450PBFTR
IRF7450PBFDKR
SP001566278
IRF7450PBFCT
*IRF7450TRPBF
IRF7450TRPBF-DG
IRF7450TRPBFTR-DG
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS2670
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2359
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS2670-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL540NPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
IPSA70R900P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
IRFSL3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO262
